(499) 434-53-25, Москва, пр. Ленина 32

NESG7030M04-A (CEL)

NESG7030M04-A
  • Маркировка: NESG7030M04-A
  • Описание: DISCRETE RF DIODE
  • Производитель: CEL
  • Даташит: NESG7030M04-A   
  • Срок поставки: 5-10 дней
  • Склад: 65 шт.
Параметры:
Производитель CEL
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 4.3V
Frequency - Transition 5.8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f) 0.5dB ~ 0.75dB @ 2GHz ~ 5.8GHz
Gain 14dB ~ 21dB
Power - Max 125mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 5mA, 2V
Current - Collector (Ic) (Max) 30mA
Тип монтажа Surface Mount
Исполнение / Корпус 4-SMD, Flat Leads
Упаковка Bulk
Supplier Device Package M04
Количество Цена
181.26
1073.53
10059.09
25052.52
50045.96
100038.08
250035.45
500034.14

NESG7030M04-A CEL
NESG7030M04-A
2 500 000,11 Р
CEL
Кол-во: 500 000 шт.
Цена за 1 шт: 5 Р
Товары, которые пользователи смотрели недавно