(499) 434-53-25, Москва, пр. Ленина 32

BYG21M-E3/TR (Vishay General Semiconductor)

BYG21M-E3/TR
  • Маркировка: BYG21M-E3/TR
  • Описание: DIODE 1.5A 1000V 120NS DO-214AC
  • Производитель: Vishay General Semiconductor
  • Даташит: BYG21M-E3/TR   
  • Срок поставки: 5-10 дней
  • Склад: 3600 шт.
Параметры:
Серия
Производитель Vishay General Semiconductor
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.6V @ 1.5A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 1000V (1kV)
Current - Average Rectified (Io) 1.5A
Current - Reverse Leakage @ Vr 1µA @ 1000V
Diode Type Avalanche
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) 120ns
Capacitance @ Vr, F -
Тип монтажа Surface Mount
Исполнение / Корпус DO-214AC, SMA
Упаковка Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package DO-214AC (SMA)
Количество Цена
18006.09
36005.6
54005.25
126004.91
450004.51
900004.31
1800004.16

BYG21M-E3/TR Vishay General Semiconductor
BYG21M-E3/TR
2 500 000,11 Р
Vishay General Semiconductor
Кол-во: 500 000 шт.
Цена за 1 шт: 5 Р
Товары, которые пользователи смотрели недавно