(499) 434-53-25, Москва, пр. Ленина 32

BYG10M-E3/TR (Vishay General Semiconductor)

BYG10M-E3/TR
  • Маркировка: BYG10M-E3/TR
  • Описание: DIODE 1.5A 1000V STD AVALANCH S
  • Производитель: Vishay General Semiconductor
  • Даташит: BYG10M-E3/TR   
  • Срок поставки: 5-10 дней
  • Склад: 5400 шт.
Параметры:
Серия
Производитель Vishay General Semiconductor
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.15V @ 1.5A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 1000V (1kV)
Current - Average Rectified (Io) 1.5A
Current - Reverse Leakage @ Vr 1µA @ 1000V
Diode Type Avalanche
Speed Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) 4µs
Capacitance @ Vr, F -
Тип монтажа Surface Mount
Исполнение / Корпус DO-214AC, SMA
Упаковка Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package DO-214AC (SMA)
Количество Цена
18005.6
36005.05
54004.76
126004.36
450004.06
900003.67
1800003.52

BYG10M-E3/TR Vishay General Semiconductor
BYG10M-E3/TR
2 500 000,11 Р
Vishay General Semiconductor
Кол-во: 500 000 шт.
Цена за 1 шт: 5 Р
Товары, которые пользователи смотрели недавно