Главная
> Каталог
> Полупроводниковые модули
> Биполярные Транзисторы с Изолированным Затвором (IGBT)
> APTGT50H60RT3G
- Маркировка: APTGT50H60RT3G
- Описание: POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3
- Производитель: Microsemi Power Products Group
- Даташит: APTGT50H60RT3G искать даташит на Datasheet.su
- Срок поставки: 5-10 дней
- Склад: 10 шт.
Параметры:
| Серия | |
| Производитель | Microsemi Power Products Group |
| IGBT Type | Trench and Field Stop |
| Configuration | Full Bridge Inverter |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 50A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 250µA |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 3.15nF @ 25V |
| Power - Max | 176W |
| Input | Single Phase Bridge Rectifier |
| NTC Thermistor | Yes |
| Тип монтажа | * |
| Исполнение / Корпус | * |
| Supplier Device Package | * |
| Количество | Цена | |
|---|---|---|
| 1 | 3147.97 | |
| 10 | 2962.6 | |
| 100 | 2638.59 | |
| 250 | 2499.71 | |
| 500 | 2407.13 | |
| 1000 | 2314.55 | |
| 2500 | 2268.26 | |
| 5000 | 2221.97 |
Товары, которые пользователи смотрели недавно






